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参数资料
| 型号： | SUD50N04-16P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1655pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N04-16P
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.016 at V GS = 10 V
40
0.018 at V GS = 4.5 V
I D (A) a, c
20
20
Q g (Typ.)
15.6 nC
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? LCD TV Inverter
? Secondary Synchronous Rectification
TO-252
D
Drain Connected to Ta b
G
G
D
S
Top V ie w
S
Orderin g Information: SUD50 N 04-16P-E3 (Lead (P b )-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
40
± 16
20 c
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 100 °C
T A = 25 °C
I D
20 c
9.8 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 100 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
6.8 b
50
20 c
2.5 b
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
35.7
Maximum Power Dissipation
T C = 100 °C
T A = 25 °C
P D
17.8
3.1 b
W
T A = 100 °C
1.5 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
40
3.4
50
5.3
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. Package limited.
Document Number: 74477
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
www.vishay.com
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参数描述 |
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