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参数资料
| 型号： | SUD50N04-16P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1655pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N04-16P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
I D = 30 A
V DS = 20 V
1. 8
I D = 15 A
V GS = 4.5 V
6
V DS = 10 V
1.5
V GS = 10 V
V DS = 30 V
4
2
0
1.2
0.9
0.6
0
8
16
24
32
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.2
- 0.1
1
I D = 5 mA
- 0.4
0.1
T J = 25 °C
- 0.7
I D = 250 μA
0.01
0.001
- 1.0
- 1.3
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
8 0
60
40
20
0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
8 0
60
40
20
0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
Document Number: 74477
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N04-37P-T4-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-25P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) 175°C MOSFET |
| SUD50N04-25P-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20A 28.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-37P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50N04-37P-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50N04-37P-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 10.8W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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