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参数资料
| 型号： | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 48.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND |
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
40
R DS(on) ( Ω )
0.0088 at V GS = 10 V
0.0105 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
50
50
Q g (Typ.)
16 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
? 100 % R g Tested
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? LCD Display Backlight Inverters
TO-252
Drain Connected to Ta b
? DC/DC Converters
G
D
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD50 N 04- 8 m 8 P-4GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
40
± 20
50 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
44
14 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
11.2 b
100
40
2.6 b
30
45
A
mJ
T C = 25 °C
48.1
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
30.8
3.1 b
W
T A = 70 °C
2.0 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
32
2.1
40
2.6
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SUD50N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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