参数资料
型号: SUD50N04-8M8P-4GE3
厂商: Vishay Siliconix
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描述: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
产品目录绘图: TO-252 Mosfet Package
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 20V
功率 - 最大: 48.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SUD50N04-8M8P-4GE3DKR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
45
Package Limited
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*, Junction-to-Case
4.0
3.5
3.0
70
60
50
2.5
40
2.0
30
1.5
1.0
0.5
0.0
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Case
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
www.vishay.com
5
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PDF描述
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参数描述
SUD50N04-8M8P-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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