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参数资料
| 型号： | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 48.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR DPAK (TO-252)
0.224
(5.690)
0.180
(4.572)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
0.055
(1.397)
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Document Number: 72594
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET |
| SUD50N06-07L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET |
| SUD50N06-07L_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
| SUD50N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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