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参数资料
| 型号： | SUD50N04-8M8P-4GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 48.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND |
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
V GS = 10 V thr u 5 V
8 0
60
40
V GS = 4 V
100
8 0
60
40
T C = 25 °C
20
V GS = 3 V
20
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
0.012
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
1.2
0.010
0.9
0.6
0.3
T C = 25 °C
0.00 8
0.006
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.004
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
8 0
100
3200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
8
I D = 20 A
V DS = 10 V
2400
V DS = 20 V
6
1600
8 00
4
V DS = 30 V
C oss
2
0
C rss
0
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET |
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| SUD50N06-07L_06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
| SUD50N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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