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参数资料
| 型号： | SUD50N10-18P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD50N10-18P-GE3DKR |
SUD50N10-18P-GE3
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S), 150 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
100 0.0185 at V GS = 10 V
I D (A) a
50
Q g (Typ.)
48 nC
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Material categorization:
For definitions of compliance please see
TO-252
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
Drain Connected to Ta b
? Primary Side Switch
? Isolated DC/DC Converter
D
G
D
S
G
Top V ie w
Orderin g Information:
SUD50 N 10-1 8 P-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
50 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 100 °C
T A = 25 °C
I D
33.4
7.8 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 100 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
5 b
100
50 a
1.7 b
45
101
A
mJ
T C = 25 °C
113.6
Maximum Power Dissipation
T C = 100 °C
T A = 25 °C
P D
45.5
2.5 b
W
T A = 100 °C
1 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R thJA
R thJC
40
0.85
50
1.1
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 65717
S12-1958-Rev. C, 13-Aug-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N10-34P-T4-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO252 |
| SUD50NP04-77P-T4E3 | MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 |
| SUD50P04-13L-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50P04-23-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50P04-40P-T4-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N10-34P-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 20A 56W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50NP04-62-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50NP04-77P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50NP04-77P-T4E3 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SUD50NP04-77P-T4-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 10.8/24W 37/40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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