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参数资料
| 型号： | SUD50N10-34P-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N10-34P
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.034 at V GS = 10 V
100
0.040 at V GS = 6.0 V
I D (A) a
20
20
Q g (Typ)
24 nC
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? LCD TV Inverter
? LCD Backlight
TO-252
D
Drain Connected to Ta b
G
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information:
SUD50 N 10-34P-E3 (Lead (P b )-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
20 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
20 a
5.9 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
4.7 b
50
20 a
2.0 b
25
31
A
mJ
T C = 25 °C
56
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
36
2.5 b
W
T A = 70 °C
1.6 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
38
1.6
50
2.2
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 74802
S-72068-Rev. A, 08-Oct-07
www.vishay.com
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