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参数资料
| 型号： | SUD50N10-34P-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N10-34P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
V GS = 10 thr u 6 V
60
50
40
30
20
5 V
50
40
30
20
T C = 25 °C
10
10
T C = 150 °C
0
4 V
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.040
0.036
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 6 V
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.032
0.02 8
0.024
0.020
V GS = 10 V
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
10
8
6
4
2
0
I - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 50 V
I D = 7 A
2.4
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
I D = 7 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V
V GS = 6 V
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74802
S-72068-Rev. A, 08-Oct-07
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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