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参数资料
| 型号： | SUD50P04-13L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix
P-Channel 40-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.013 at V GS = - 10 V
- 40
0.022 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 60 a
- 48
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
RoHS
COMPLIANT
S
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50P04-13L-E3 (Lead (Pb)-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 40
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
T C = 25 °C
T C = 100 °C
I D
I DM
I S
- 60 c
- 43
- 100
- 60 c
Avalanche Current
Avalanche Energy,
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
- 40
80
93.7 b
3 a
- 55 to 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
15
40
1.3
18
50
1.8
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See SOA curve for voltage derating.
b. Calculated based on maximum allowed Junction Temperature. Package limitation current is 50 A.
Document Number: 73009
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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