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参数资料
| 型号： | SUD50P04-13L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P04-13L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
1. 8
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
75
200
Limited b y r DS(on)
60
100
10 μ s
100 μ s
45
30
Limited By Package
10
1 ms
10 ms
100 ms
15
1
T C = 25 °C
Single P u lse
DC
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T C - Case Temperat u re (°C)
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Safe Operating Area
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
1K
Sq u are W a v e P u lse D u ration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73009
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P04-23-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50P04-40P-T4-E3 | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50P06-15L-T4-E3 | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| SUD50P08-26-E3 | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P04-13L-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 93.7W 13mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50P04-15 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| SUD50P04-15_05 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET |
| SUD50P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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