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参数资料
| 型号： | SUD50P08-26-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 12.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5160pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P08-26
Vishay Siliconix
P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
- 80 0.026 at V GS = - 10 V
I D (A) a
- 50
Q g (Typ)
102 nC
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
RoHS
COMPLIANT
TO-252
Drain Connected to Tab
G
S
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50P08-26-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 80
± 20
- 50 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
- 43.6 a
- 12.9 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
- 10.8 b, c
- 60
- 50 a
- 6.9 b, c
- 45
101
A
mJ
T C = 25 °C
136
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
95
8.3 b, c
W
T A = 70 °C
5.8 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
15
0.85
18
1.1
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 sec.
d. Maximum under Steady State conditions is 40 °C/W.
Document Number: 73442
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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