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参数资料
| 型号： | SUD50P08-26-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 12.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5160pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P08-26
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
60
50
40
V GS = 10 thru 6 V
5V
20
16
12
30
8
20
T A = 125 °C
10
4
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.024
0.023
0.022
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 10 V
8000
7000
6000
5000
4000
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.021
0.020
2000
1000
0
C oss
C rss
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 12.9 A
2.0
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 12.9 A
V GS = 10 V
6
V DS = 40 V
1.4
4
2
0
V DS = 64 V
1.1
0.8
0.5
V GS = 6 V
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73442
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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