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参数资料
| 型号： | SUD50P08-26-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 80V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 12.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5160pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50P08-26
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
60
50
140
120
100
40
Package Limited
80
30
60
20
10
0
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
100
10
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperature (°C)
Power Derating
1
T A =
L · I A
BV - V DD
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T A - Time In Avalanche (sec)
Single Pulse Avalanche Capability
*The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissi-
pation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.
Document Number: 73442
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SUD54P04-23-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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