- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50P10-43-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 100V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50P10-43-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P10-43
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 100-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
V DS (V)
–100
r DS(on) ( W )
0.043 at V GS = –10 V
I D (A) a
–38
Q g (Typ)
105 nC
RoHS
COMPLIANT
TO-252
Drain Connected to Tab
G
S
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50P10-43–E3 (Lead (Pb)-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
T C = 25 _ C
Symbol
V DS
V GS
Limit
–100
" 20
–38 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
T C = 70 _ C
T A = 25 _ C
I D
–31.8 a
–9.4 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 _ C
T C = 25 _ C
T A = 25 _ C
L = 0 0.1 1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
–7.8 b, c
–50
–50 a
–6.9 b, c
–40
80
A
mJ
T C = 25 _ C
136
Maximum Power Dissipation
T C = 70 _ C
T A = 25 _ C
P D
95
8.3 b, c
W
T A = 70 _ C
5.8 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
–50 to 175
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t p 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
15
0.85
18
1.1
_ C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 Board.
c. t = 10 sec.
d. Maximum under steady state conditions is 40 _ C/W.
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUD50P10-43L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD54P04-23-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| SUD70N02-03P-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 70A 3PIN TO-252 - Rail/Tube 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:39 A, 20 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。