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参数资料
| 型号： | SUD50P10-43-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P10-43
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
40
10
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
0.08
0.07
0.06
0.05
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
T A = 125 _ C
T J = 25 _ C
0.04
0.03
T A = 25 _ C
1
0.02
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
3.4
3.1
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Threshold Voltage
I D = 250 m A
35
30
25
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2.8
20
2.5
15
2.2
10
1.9
1.6
5
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J – Temperature ( _ C)
100
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Time (sec)
*Limited by r DS(on)
10
1
0.1
0.01
0.001
T A = 25 _ C
Single Pulse
100 m s
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
dc
0.1
1
10
100
1000
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS u minimum V GS at which r DS(on) is specified
www.vishay.com
4
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
| SUM110N05-06L-E3 | MOSFET N-CH D-S 55V D2PAK |
| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUD50P10-43L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD54P04-23-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| SUD70N02-03P-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 70A 3PIN TO-252 - Rail/Tube 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:39 A, 20 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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