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参数资料
| 型号： | SUD50P10-43-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50P10-43
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Current De-Rating*
50
140
Vishay Siliconix
Power De-Rating
120
40
100
30
20
80
60
40
10
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
100
10
T C – Case Temperature ( _ C)
Single Pulse Avalanche Capability
T C – Case Temperature ( _ C)
1
T A +
L @ I A
BV * V DD
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T A – Time In Avalanche (sec)
*The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 _ C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for
cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| SUM110N04-2M1P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V D2PAK |
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| SUM110N06-3M9H-E3 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK |
| SUM110N10-09-E3 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50P10-43L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUD50P10-43L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD54P04-23-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD70N02-03P | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| SUD70N02-03P-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 70A 3PIN TO-252 - Rail/Tube 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:39 A, 20 V, 0.0053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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