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参数资料
| 型号： | SUM110N10-09-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM110N10-09-E3DKR |
SUM110N10-09
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
100 0.0095 at V GS = 10 V
I D (A)
110 a
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? New Package with Low Thermal Resistance
? 100 % R g Tested
D
TO-263
G
G
D S
Top V ie w
S
Ordering Information: SUM110 N 10-09-E3 (Lead (P b )-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy b
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AR
E AR
P D
T J , T stg
110 a
87 a
440
75
280
375 c
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
PCB Mount (TO-263) d
R thJA
R thJC
40
0.4
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle ≤ 1 %.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
Document Number: 70677
S10-0644-Rev. G, 22-Mar-10
www.vishay.com
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