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参数资料
| 型号： | SUM33N20-60P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK |
| 产品目录绘图： | SUB, SUM Series |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 20A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM33N20-60P-E3DKR |
SUM33N20-60P
New Product
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
0.059 at V GS = 15 V
200
0.060 at V GS = 10 V
I D (A)
33
33
Q g (Typ)
53
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFETS
? 150 °C Junction Temperature
? 100 % UIS and R g Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? Power Supply
? Lighting
? Industrial
D
TO-26 3
G
G
D S
Top View
Orderin g Information: S UM 33 N20-60P-E 3 (Le a d (P b )-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
200
± 25
Unit
V
156
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C c
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
33
20.8
80
20
20
b
3.12
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount) c
Junction-to-Case (Drain)
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
40
0.8
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
Document Number: 74291
S-62209-Rev. A, 30-Oct-06
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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