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参数资料
| 型号： | SUM60N02-3M9P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM60N02-3m9P
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( Ω )
0.0039 at V GS = 10 V
20
0.0052 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
60
60
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
? 100 % R g Tested
? 100 % UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? OR-ing
D
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
D S
Top View
Ordering Information: SUM60N02-3m9P-E3 (Lead (Pb)-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
± 20
Unit
V
120
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 100 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C d
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
60 a
60 a
120
50
125
c
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Case
d
R thJA
R thJC
40
1.25
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle ≤ 1 %.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
Document Number: 69820
S-80183-Rev. A, 04-Feb-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUM60N04-05LT-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-05T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-06T | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
| SUM60N04-06T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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