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参数资料
| 型号： | SUM60N02-3M9P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM60N02-3m9P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
120
100
8 0
60
40
V GS = 10 thr u 5 V
V GS = 4 V
120
100
8 0
60
40
T C = 25 °C
20
V GS = 3 V
20
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
200
160
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = -55 °C
0.010
0.00 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
120
8 0
40
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.006
0.004
0.002
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
0.020
0.016
0.012
0.00 8
0.004
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
I D = 20 A
T A = 125 °C
7500
6000
4500
3000
1500
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
C oss
0.000
T A = 25 °C
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1 8
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 69820
S-80183-Rev. A, 04-Feb-08
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUM60N04-05LT-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-05T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-06T | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
| SUM60N04-06T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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