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参数资料
| 型号： | SUM85N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM85N03-06P-E3DKR |
SUM85N03-06P
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) 175 _ C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( W )
0.006 @ V GS = 10 V
30
0.009 @ V GS = 4.5 V
I D (A)
85
77
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D PWM Optimized for High Efficiency
D New Package with Low Thermal Resistance
D 100% R g Tested
APPLICATIONS
TO-263
G
D
D Buck Converter
? High Side
? Low Side
D Synchronous Rectifier
? Secondary Rectifier
G
D S
Top View
S
Ordering Information: SUM85N03-06P
SUM85N03-06P-E3 (Lead Free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 100 _ C
L = 0.1 mH
T C = 25 _ C
T A = 25 _ C c
I D
I DM
I AR
E AR
P D
T J , T stg
85
67
200
45
101
100 b
3.75
? 55 to 175
A
mJ
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount c
Symbol
Limit
40
Unit
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Free Air
R thJA
R thJC
62.5
1.5
_ C/W
Notes
a. Duty cycle v 1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 71903
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SUM85N03-07P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-07P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 93W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM85N03-07P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 85A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUM85N03-08P | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM85N03-08P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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