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参数资料
| 型号： | SUM85N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM85N03-06P-E3DKR |
SUM85N03-06P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.0
1.6
1.2
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 20 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
10
0.8
0.4
0.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
40
38
36
34
32
30
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J ? Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
4
Document Number: 71903
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM90N06-5M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V D2PAK |
| SUM90N08-6M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N08-7M6P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N10-8M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM85N03-07P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-07P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 93W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM85N03-07P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 85A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUM85N03-08P | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM85N03-08P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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