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参数资料
| 型号： | SUP18N15-95-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP18N15-95
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.095 at V GS = 10 V
150
0.100 at V GS = 6 V
I D (A)
18
17.5
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TO-220AB
D
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
S
Ordering Information: SUP18N15-95
N-Channel MOSFET
SUP18N15-95-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
150
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy a
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
E AS
18
10.3
25
15
16.2
A
mJ
88
Maximum Power Dissipation
a
T C = 25 °C
P D
b
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (Free Air)
Junction-to-Case
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
85
1.7
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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