- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录527 > SUP40P10-43-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUP40P10-43-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUP40P10-43
Vishay Siliconix
P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
- 100
R DS(on) ( Ω )
0.043 at V GS = - 10 V
0.048 at V GS = - 4.5 V
I D (A) c
- 36
- 34.4
Q g (Typ.)
54 nC
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? LCD Inverter
- Backlighting
TO-220AB
S
G
Drain connected to Tab
G D S
Top View
Ordering Information: SUP40P10-43-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 100
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) c
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
- 36
- 16
- 40
- 35
61
125 b
2.0
- 55 to 150
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient Free Air
Junction-to-Case
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
62
1.0
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 65458
S09-2035-Rev. A, 05-Oct-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP45N03-13L-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP60N02-4M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
| SUP60N10-16L-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SUP60N10-18P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SUP65P04-15-E3 | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP45N03-13L | 功能描述:MOSFET 30V 45A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP45N03-13L-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 45A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP45N05-20L | 功能描述:MOSFET 50V 45A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP45N05-20L-E3 | 功能描述:MOSFET 50V 45A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP45N05-20L-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 50V, 45A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。