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参数资料
| 型号： | SUP40P10-43-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUP40P10-43
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
35
30
25
20
15
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
12
8
T A = 125 °C
10
5
3 V
4
25 °C
0
2 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.044
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
6000
0.042
0.040
0.03 8
0.036
0.034
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
1000
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
10
20
30
40
50
60
70
8 0
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
2.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 9.2 A
2.0
I D = 9.2 A
6
V DS = 50 V
V DS = 80 V
1.7
1.4
V GS = 10 V, 4.5 V
4
1.1
2
0
0. 8
0.5
0
20
40
60
8 0
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65458
S09-2035-Rev. A, 05-Oct-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| SUP45N03-13L-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 45A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SUP45N05-20L-E3 | 功能描述:MOSFET 50V 45A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP45N05-20L-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 50V, 45A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
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