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参数资料
| 型号： | SUP65P04-15-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix
P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? TrenchFET ? Power MOSFET
V DS (V)
- 40
R DS(on) ( Ω )
0.015 at V GS = - 10 V
0.023 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 65
- 50
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
DRAIN connected to TAB
TO-263
G
S
G
D S
Top View
G D S
Top View
SUP65P04-15
SUB65P04-15
D
Ordering Information: SUP65P04-15-E3 (Lead (Pb)-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 40
± 20
Unit
V
Repetitive Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Power Dissipation
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C (TO-220AB and TO-263)
T A = 25 °C (TO-263) b
I D
I DM
I AR
E AR
P D
- 65
- 37
- 240
- 60
180
120 c
3.75
A
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
PCB Mount (TO-263) b
Free Air (TO-220AB)
R thJA
R thJA
R thJC
40
62.5
1.25
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71174
S11-2308-Rev. B, 21-Nov-11
www.vishay.com
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
| SUP65P06-20 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06-20 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| SUP65P06-20-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06-20-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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