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参数资料
| 型号： | SUP90P06-09L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUP90P06-09L
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
0.0093 at V GS = - 10 V
- 60
0.0118 at V GS = - 4.5 V
I D (A) c
- 90
- 90
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? DC/DC Primary Switch
TO-220AB
S
G
Drain connected to Tab
G D S
Top View
Ordering Information: SUP90P06-09L-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Single Pulse Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) c
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
- 90
- 67
- 200
- 65
211
250 b
2.4
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient Free Air
Junction-to-Case
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
62
0.6
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ? 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. Limited by package.
Document Number: 73010
S10-2545-Rev. B, 08-Nov-10
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUP-A1L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A3L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
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