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参数资料
| 型号： | SUP90P06-09L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUP90P06-09L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
200
5V
200
160
120
80
V GS = 10 V thru 6 V
4V
160
120
80
40
40
T C = 125 °C
0
2V
3V
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.020
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
160
120
25 °C
125 °C
0.016
0.012
V GS = 4.5 V
80
40
0
0.008
0.004
0.000
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
20
40
60
80
100
120
15 000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
12 000
9000
6000
3000
C oss
C iss
16
12
8
4
V DS = 30 V
I D = 90 A
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
240
280
320
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 73010
S10-2545-Rev. B, 08-Nov-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SUP-A1L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A3L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
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