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参数资料
| 型号： | SUP90P06-09L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUP90P06-09L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.7
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
1.4
1.1
0.8
0.5
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
76
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 10 mA
72
100
I AV (A) at T A = 25 °C
68
10
64
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
60
56
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Document Number: 73010
S10-2545-Rev. B, 08-Nov-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUP-A1L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A2L-E | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
| SUP-A3L | 制造商:OKAYA 制造商全称:OKAYA 功能描述:NOISE FILTER |
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