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参数资料
| 型号： | SUP65P04-15-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.5
1.0
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
10
T J = 150 °C
0.5
T J = 25 °C
0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3 0.6 0.9
1.2
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
60
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
I AV (A) at T A = 25 °C
55
50
10
I AV (A) at T A = 150 °C
45
1
40
0.1
35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Document Number: 71174
S11-2308-Rev. B, 21-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
| SUP90P06-09L-E3 | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
| SUV85N10-10-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
| SUP65P06-20 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06-20 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| SUP65P06-20-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06-20-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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