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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.0183 at V GS = 10 V
100
0.023 at V GS = 8.0 V
I D (A)
60
53
Q g (Typ.)
48
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Industrial
? Power Supply
TO-220AB
D
G
G D S
Top View
Ordering Information: SUP60N10-18P-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
Unit
V
150
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Avalanche Energy a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 70 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C c
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
60
50
100
45
101
b
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount) c
Junction-to-Case (Drain)
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
40
1.0
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
www.vishay.com
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