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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10 μs
Limited by R DS(on) *
100 μs
10
1 ms
10 ms, DC
1
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
1 8 0
150
75
60
120
45
90
30
60
30
0
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Case
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
* The power dissipation P D is based on T J(max.) = 175 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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