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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
www.vishay.com
TO-220AB
Vishay Siliconix
E
A
DIM.
MILLIMETERS
MIN. MAX.
INCHES
MIN. MAX.
?P
F
A
b
b(1)
c
D
E
e
e(1)
F
H(1)
4.25
0.69
1.20
0.36
14.85
10.04
2.41
4.88
1.14
6.09
4.65
1.01
1.73
0.61
15.49
10.51
2.67
5.28
1.40
6.48
0.167
0.027
0.047
0.014
0.585
0.395
0.095
0.192
0.045
0.240
0.183
0.040
0.068
0.024
0.610
0.414
0.105
0.208
0.055
0.255
1
2
3
J(1)
2.41
2.92
0.095
0.115
L
L(1)
13.35
3.32
14.02
3.82
0.526
0.131
0.552
0.150
M *
?P
Q
3.54
2.60
3.94
3.00
0.139
0.102
0.155
0.118
b(1)
ECN: T13-0724-Rev. O, 14-Oct-13
DWG: 5471
Note
* M = 1.32 mm to 1.62 mm (dimension including protrusion)
Heatsink hole for HVM
C
b
e
J(1)
e(1)
Revison: 14-Oct-13
1
Document Number: 71195
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP65P04-15-E3 | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP60N6-18 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| SUP65P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
| SUP65P06-20 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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