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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
60
40
V GS = 10 V thru 8 V
V GS = 7 V
1.5
1.2
0.9
0.6
T C = 25 °C
20
V GS = 6 V
0.3
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
75
60
45
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 °C
0.04
0.03
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.02
V GS = 8 V
30
V GS = 10 V
0.01
15
0
0.00
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
120
3500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 15 A
2 8 00
C iss
15
V DS = 50 V
2100
V DS = 80 V
10
1400
5
700
0
C rss
C oss
0
0
20
40
60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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