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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.5
I D = 15 A
V GS = 10 V
100
2.0
V GS = 8 V
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.5
0.1
1.0
0.01
0.5
0.001
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.10
0.0 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 15 A
0.7
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
- 0.3
0.06
- 0. 8
I D = 5 mA
0.04
T J = 150 °C
- 1.3
0.02
0.00
T J = 25 °C
- 1. 8
- 2.3
I D = 250 μA
4
5
6
7
8
9
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
130
125
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 1 mA
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
115
110
105
100
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
95
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
4
t A V (s)
Avalanche Current vs. Time
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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