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参数资料
| 型号： | SUP60N10-18P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-18P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65003 .
www.vishay.com
6
Document Number: 65003
S09-1096-Rev. A, 15-Jun-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP65P04-15-E3 | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
| SUP90P06-09L-E3 | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP60N6-18 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| SUP65P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
| SUP65P06-20 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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