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参数资料
| 型号： | SUP60N10-16L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( W )
0.016 @ V GS = 10 V
100
0.018 @ V GS = 4.5 V
TO-220AB
I D (A)
60
56
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D PWM Optimized
APPLICATIONS
D DC/DC Primary Side Switch
D
G
DRAIN connected to TAB
G D S
Top View
SUP60N10-16L
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 125 _ C
L = 0.1 mH
T C = 25 _ C
I D
I DM
I AR
E AR
P D
T J , T stg
60
35
100
40
80
150 b
- 55 to 175
A
mJ
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Junction-to-Ambient (Free Air)
Junction-to-Case
Parameter
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
62.5
1.0
Unit
_ C/W
Notes
a. Duty cycle v 1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
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