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参数资料
| 型号： | SUP60N10-16L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.5
2.0
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5
10
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
1.0
0.5
0.0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T J - Junction Temperature ( _ C)
130
125
120
115
110
105
100
95
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
I D = 10 mA
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
4
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP60N10-18P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUP60N6-18 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| SUP65P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
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