- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录527 > SUP60N10-16L-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUP60N10-16L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche and Drain Current
80
70
vs. Case Temperature
1000
Safe Operating Area
60
50
100
10 m s
100 m s
40
30
20
10
1
Limited
by r DS(on)
T C = 25 _ C
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10
0
0.1
Single Pulse
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
T C - Ambient Temperature ( _ C)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP60N10-18P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| SUP65P04-15-E3 | MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
| SUP75N03-04-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP75P03-07-E3 | MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP90N08-7M7P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP60N10-18P-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP60N6-18 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| SUP65P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。