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参数资料
| 型号： | SUP18N15-95-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP18N15-95
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.8
2.4
2.0
1.6
V GS = 10 V
I D = 15 A
100
T J = 150 °C
10
1.2
0.8
0.4
T J = 25 °C
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
185
180
175
170
165
160
155
150
145
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
www.vishay.com
4
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUP18N15-95-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 18A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur |
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| SUP-2400 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:DirecTV B Band Converter 制造商:MCM 功能描述:B-BAND CONVERTER |
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| SUP28N15-52_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
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