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参数资料
| 型号： | SUP18N15-95-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP18N15-95
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
20
100
15
10
Limited by r DS(on)
10 μs
100 μs
10
1 ms
5
1
T C = 25 °C
Single Pulse
10 ms
100 ms
1 s, DC
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
1000
2
1
0.1
0.01
T C - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
Single Pulse
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?71642.
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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