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参数资料
| 型号： | SUP18N15-95-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUP18N15-95
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
25
20
15
10
V GS = 10 thru 6 V
5V
20
15
10
T C = 125 °C
5
0
3V
4V
5
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
40
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.14
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
T C = - 55 °C
0.12
32
25 °C
0.10
V GS = 6 V
24
16
125 °C
0.08
0.06
V GS = 10 V
0.04
8
0.02
0
0.00
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
1500
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1200
16
V DS = 75 V
I D = 15 A
900
600
300
0
C rss
C oss
C iss
12
8
4
0
0
20
40
60
80
100
0
8
16
24
32
40
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71642
S-71662-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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