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参数资料
| 型号： | SUM90N10-8M2P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6290pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM90N10-8M2P-E3DKR |
SUM90N10-8m2P
Vishay Siliconix
N Channel 100 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
?
TrenchFET ? Power MOSFETS
90
V (BR)DSS (V)
100
R DS(on) ( ? )
0.0082 at V GS = 10 V
I D (A)
d
Q g (Typ)
97
?
?
175 °C Junction Temperature
100 % R g and UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
?
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Power Supply
- Secondary Synchronous Rectification
TO-263
? Industrial
? Primary Switch
D
G
D
S
G
Top V ie w
Orderin g Information: SUM90 N 10- 8 m2P-E3 (Lead (P b )-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted )
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
Unit
V
Single Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 70 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C c
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
90 d
90 d
240
60
180
300 b
3.75
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Case (Drain)
c
R thJA
R thJC
40
0.5
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ? 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Package limited.
Document Number: 74643
S12-0335-Rev. B, 13-Feb-12
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
| SUP40P10-43-GE3 | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| SUP45N03-13L-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP60N02-4M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM90P10-19-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -100V, 90A TO-263 |
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