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参数资料
| 型号： | SUM90N10-8M2P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6290pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM90N10-8M2P-E3DKR |
SUM90N10-8m2P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.5
0.7
I D = 20 A
0.2
2.0
V GS = 10 V
- 0.3
1.5
1.0
0.5
- 0. 8
- 1.3
- 1. 8
- 2.3
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 8 5 A
130
I D = 1 mA
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
8
6
4
2
0
V DS = 50 V
V DS = 30 V
V DS = 70 V
124
11 8
112
106
100
0
22
44
66
88
110
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
140
10
T J = 150 °C
112
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
8 4
56
2 8
0
Package Limited
0
0.2
0.4 0.6 0. 8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
4
T C - Case Temperat u re (°C)
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Document Number: 74643
S12-0335-Rev. B, 13-Feb-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
| SUP40P10-43-GE3 | MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB |
| SUP45N03-13L-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB |
| SUP60N02-4M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM90P10-19-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -100V, 90A TO-263 |
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