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参数资料
| 型号： | SUM90N10-8M2P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6290pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM90N10-8M2P-E3DKR |
SUM90N10-8m2P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
120
1 8 0
100
8 0
V GS = 10 thr u 7 V
150
120
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
60
40
20
0
6 V
5 V
90
60
30
0
T C = 125 °C
0
1 2 3 4
5
0
12
24
36
4 8
60
100
8 0
60
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
0.05
0.04
0.03
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
I D = 20 A
40
20
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0.02
0.01
T A = 150 °C
0
T C = - 55 °C
0.00
T A = 25 °C
0
2
4
6
8
10
4.0
5.2
6.4
7.6
8 . 8
10
0.0073
0.0071
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
8 000
6400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-resistance vs. Gate-to-Source Voltage
C iss
0.0069
0.0067
0.0065
V GS = 10 V
4 8 00
3200
1600
C oss
0.0063
0
C rss
0
20
40 60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Document Number: 74643
S12-0335-Rev. B, 13-Feb-12
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
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| SUP60N02-4M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM90P10-19-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SUM90P10-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90P10-19L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -100V, 90A TO-263 |
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