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参数资料
| 型号： | SUM85N03-06P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUM85N03-06P-E3DKR |
SUM85N03-06P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
250
Output Characteristics
120
Transfer Characteristics
200
V GS = 10 thru 6 V
5V
100
80
150
60
100
4V
40
T C = 125 _ C
50
2, 3 V
20
25 _ C
? 55 _ C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
120
100
80
60
40
20
0
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Transconductance
T C = ? 55 _ C
25 _ C
125 _ C
0.0150
0.0125
0.0100
0.0075
0.0050
0.0025
0.0000
V GS ? Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
4000
3500
3000
2500
Capacitance
C iss
10
8
6
V DS = 15 V
I D = 50 A
Gate Charge
2000
1500
4
1000
500
0
C rss
C oss
2
0
0
6
12
18
24
30
0
10
20
30
40
50
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Document Number: 71903
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03
Q g ? Total Gate Charge (nC)
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM90N06-5M5P-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V D2PAK |
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| SUM90N08-7M6P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM85N03-07P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-07P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 93W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM85N03-07P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 85A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUM85N03-08P | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SUM85N03-08P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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