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参数资料
| 型号： | SUM60N02-3M9P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM60N02-3m9P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
150
120
1000
Limited b y r DS(on) *
100
10 μ s, 100 μ s
90
1 ms
Package Limited
60
30
10
T C = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
1 s, 10 s, DC
0
1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1
0.1
0.01
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Drain Current vs. Ambient Temperature
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?69820.
Document Number: 69820
S-80183-Rev. A, 04-Feb-08
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SUM60N04-05LT-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-05T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-06T | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
| SUM60N04-06T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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