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参数资料
| 型号： | SUM60N02-3M9P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM60N02-3m9P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
2.0
8
6
4
2
0
I D = 50 A
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.7
1.4
1.1
0. 8
0.5
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
20
40
60
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.1
0.01
- 0.5
- 1.0
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
0.001
- 1.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
33
32
31
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 1 mA
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
30
29
2 8
27
26
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.10
1
www.vishay.com
4
T J - Temperat u re (°C)
Typical Drain-Source Brakdown Voltage
vs. Junction Temperature
t in (s)
Single Pulse Avalanche Current vs. Time
Document Number: 69820
S-80183-Rev. A, 04-Feb-08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM60N04-05LT | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-05LT-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-05T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM60N04-06T | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
| SUM60N04-06T-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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