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参数资料
| 型号： | SUM40N02-12P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM40N02-12P
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( W )
0.012 @ V GS = 10 V
20
0.026 @ V GS = 4.5 V
I D (A) a
40 a
40 a
Q g (Typ)
7 7.5 5
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D Optimized for High-Side Synchronous Rectifier
D 100% R g Tested
APPLICATIONS
D Desktop or Server CPU Core
D Game Station
TO-263
DRAIN connected to TAB
G
D
G
D S
Top View
S
Ordering Information: SUM40N02-12P
SUM40N02-12P—E3
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 100 _ C
T C = 25 _ C
T A = 25 _ C d
I D
I DM
P D
T J , T stg
40 a
40 a
90
83 c
3.75
? 55 to 175
A
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB
Junction-to-Case
Mounted) d
R thJA
R thJC
40
1.8
_ C/W
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle v 1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 72111
S-42351—Rev. D, 20-Dec-04
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM40N03-30L | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM40N03-30L-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N05-19L | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SUM40N05-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 55V 40A 65W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM40N10-30 | 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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